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Diodes Incorporated Dispositivi a semiconduttore discreti 1N5263B-T

Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T
Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T Diodes Incorporated Discrete Semiconductor Devices 1N5263B-T
Informazioni di base
Marca: Diodes Incorporated
Numero di modello: 1N5263B-T
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Tempi di consegna: 2~8 giorni feriali
Termini di pagamento: T/T
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Marca: Diodi incorporati Certificato: /
Modello: 1N5263B-T MOQ: 1 pc
Prezzo: Negotiated Consegna: 2~8 giorni feriali
Pagamento: T/T
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Diodi incorporati dispositivi a semiconduttore discreti

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dispositivi a semiconduttore discreti 1N5263B-T

Diodi incorporati 1N5263B-T

 

Originale Diodi incorporati Modello produttore 1N5263B-T
venditore Maestro Modello venditore 11234142
genere Diodo Zener numero di lotto --
Numero di pacchetti -- avvolgere --
Descrizione del prodotto DIODO ZENER 56V 500MW DO35
Specifiche valore numerico
Tensione - Zener (Nom) (Vz) 261
Tolleranza ±5%
Potenza - max 500mW
Impedenza (massima) (Zzt) 150 Ohm
Corrente - Dispersione inversa @ Vr 100nA a 43V
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1,1 V a 200 mA
temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C
Tipo di montaggio Attraverso il foro
Confezione/caso DO-204AH, DO-35, Assiale
Pacchetto dispositivo fornitore DO-35

Prodotto Tag:

Dispositivi discreti a semiconduttore H30R1602,

IRFB4310PBF,

Dispositivi discreti a semiconduttore di potere di IGBT

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