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dispositivi discreti 06N90E FMV06N90E FMH06N90E a semiconduttore di 900V 6A

900V 6A Discrete Semiconductor Devices 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
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Informazioni di base
Marca: INFINEON
Numero di modello: IRF1404PBF IRF1404ZPBF
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Tempi di consegna: 2~8 giorni feriali
Termini di pagamento: T/T
Miglior prezzo Contattaci
Marca: Infineon Certificato: /
Modello: IRF1404PBF IRF1404ZPBF MOQ: 1 pc
Prezzo: Negotiated Consegna: 2~8 giorni feriali
Pagamento: T/T
Evidenziare:

Dispositivi discreti a semiconduttore 06N90E

,

Dispositivi discreti a semiconduttore di FMV06N90E

,

FMH06N90E

Descrizione di prodotto

 

Semiconduttori discreti 900V 6A di 06N90E FMV06N90E FMH06N90E

 

Singolo MOSFET di potere di N-Manica di IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40V in un pacchetto TO-220

Circa IRF1404PBF:

 

Riassunto delle caratteristiche
Singolo MOSFET di potere di N-Manica di IRF1404 40V in un pacchetto TO-220
Struttura della cellula planare per ampio SOA
Ottimizzato per più vasta disponibilità dai partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto secondo la norma di JEDEC
Pacchetto di potere del superficie-supporto dello standard industriale
Valutazione a corrente forte

 

Benefici:

Irregolarità aumentata
Compatibilità di multifornitore
Livello di qualificazione dello standard industriale
La piedinatura standard tiene conto calo nella sostituzione
Capacità di trasporto a corrente forte

Caratteristiche tecniche del prodotto

Parametrics IRF1404
Identificazione (@25°C) massimo 202 A
Montaggio THT
Ptot massimo 200 W
Pacchetto TO-220
Polarità N
QG (tipo @10V) 131 nC
Qgd 42 nC
RDS (sopra) (@10V) massimo mΩ 4
RthJC massimo 0,75 K/W
Dispositivi speciali Ampio SOA
Tj massimo °C 175
VDS massimo 40 V
Min di VGS (Th) massimo 3 V 2 V 4 V
VGS massimo 20 V

 

Prodotto Tag:

Dispositivi discreti a semiconduttore H30R1602,

IRFB4310PBF,

Dispositivi discreti a semiconduttore di potere di IGBT

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