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Transistor ultraveloci dei diodi di STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT 31A 600V

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD Ultrafast IGBT 31A 600V Diodes Transistors
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Informazioni di base
Marca: STMicroelectronics
Numero di modello: STGWA19NC60HD GWA19NC60HD
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Tempi di consegna: 2~8 giorni feriali
Termini di pagamento: T/T
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Marca: STMicroelectronics Certificato: /
Modello: STGWA19NC60HD GWA19NC60HD MOQ: 1 pc
Prezzo: Negotiated consegna: 2~8 giorni feriali
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Evidenziare:

transistor dei diodi 600V

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STGWA19NC60HD

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GWA19NC60HD

Descrizione di Prduct

 

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD

 

STGWA19NC60HD GWA19NC60HD IGBT ultraveloce 31 A 600 V IGBT veloce stesso con il diodo ultraveloce

Transistor - IGBTs - singolo 31 A, 600 V, IGBT molto veloce con il diodo ultraveloce

 

Dettagli del prodotto

 

Descrizione:

Questo dispositivo è un IGBT ultraveloce.

Utilizza il processo avanzato di potere MESH™ con conseguente rapporto eccellente tra la prestazione di commutazione ed il comportamento basso dello su stato.

 

Caratteristiche

Goccia bassa di su tensione (VCE (si è seduto))

Diodo antiparallelo di recupero ultraveloce molto morbido

 

Applicazioni

■Azionamenti ad alta frequenza del motore

■SMPS e PFC sia nel commutatore duro che nelle topologie sonore

 

Prodotti relativi:

Numero del pezzo Descrizione
STGWA100H65DFB2 PORTONE FIELD-STOP, 650 V, 1 DELLA FOSSA
STGWA15S120DF3 IGBT 1200V 15A TO247-3L
STGWA19NC60HD IGBT 600V 52A 208W TO247
STGWA15H120DF2 HB 1200V 15A HS TO247-3 di IGBT

STGWA15M120DF3		 IGBT 1200V 30A 259W
STGWA15H120F2 HB 1200V 15A HS TO247-3 di IGBT

 

Prodotto Tag:

Dispositivi discreti a semiconduttore H30R1602,

IRFB4310PBF,

Dispositivi discreti a semiconduttore di potere di IGBT

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Più Dispositivi discreti a semiconduttore
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