Porcellana Chip elettronico di IC fabbricante

Migliore servizio, migliore chip

Più grande acquisizione della Un-fermata della Cina delle componenti

Italian
Richieda una citazione
Prodotti

Alta tensione discreta dei dispositivi IXGH24N170 IXYS IXGH24 a semiconduttore di IGBT

IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage
IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage IGBT Discrete Semiconductor Devices IXGH24N170 IXYS IXGH24 High Voltage
Informazioni di base
Marca: IXYS
Numero di modello: IXGH24N170
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Tempi di consegna: 2~8 giorni feriali
Termini di pagamento: T/T
Miglior prezzo Contattaci
Marca: IXYS Certificato: /
Modello: IXGH24N170 MOQ: 1 pc
Prezzo: Negotiated Consegna: 2~8 giorni feriali
Pagamento: T/T
Evidenziare:

Dispositivi discreti a semiconduttore IXGH24

,

Dispositivi discreti a semiconduttore di IGBT

,

IXGH24N170

Descrizione di prodotto

 

Prodotti a semiconduttoridiscreti ad alta tensione di IXGH24N170 IXYS IGBT IXGH24IGBT1700V50A250WTO247AD

 

Specificazione: IGBT ad alta tensione NPT 1700 V 50 A 250 W attraverso il foro TO-247AD

Numero del pezzo IXGH24N170
Categoria
Prodotti a semiconduttori discreti
　
Transistor - IGBTs - singoli
Mfr
IXYS
Serie
-
Pacchetto
Metropolitana
Stato della parte
Attivo
Tipo di IGBT
NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima)
1700 V
Corrente - collettore (CI) (massimo)
50 A
Corrente - collettore pulsato (Icm)
150 A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI
3.3V @ 15V, 24A
Massimo elettrico
250 W
Energia di commutazione
8mJ (fuori)
Tipo introdotto
Norma
Tassa del portone
106 nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C
42ns/200ns
Condizione di prova
1360V, 50A, 5Ohm, 15V
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo
Attraverso il foro
Pacchetto/caso
TO-247-3
Pacchetto del dispositivo del fornitore
TO-247AD
Numero del prodotto di base
IXGH24
Numero del pezzo IXGH24N170 IXGT24N170
Numero del pezzo basso IXGH24
UE RoHS Soddisfacente rispetto all'esenzione
ECCN (US) EAR99
Stato della parte Attivo
NTA 8541.29.00.95

 

Caratteristiche
Pacchetti della norma internazionale
JEDEC TO-268 e
ANNUNCIO DI JEDEC TO-247
 
Capacità di trattamento a corrente forte
Eccitazzione di MOS Gate
- semplicità dell'azionamento
Struttura irregolare del NPT
Gli epossidici di modellatura incontrano l'UL 94V-0
 
classificazione di infiammabilità
Applicazioni
Scarico del condensatore & circuiti pulser
Controllo di velocità del motore a corrente alternata
Azionamenti del servo e del robot di CC
Selettori rotanti di CC
Gruppi di continuità (UPS)
alimentazioni elettriche di sonoro-modo e di Commutare-modo
 
Vantaggi
Densità di alto potere
Adatto a montaggio di superficie
Facile montare con 1 vite, (foro isolato della vite di montaggio)

 

Classificazioni dell'esportazione & ambientali
ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato di RoHS ROHS3 compiacente
Livello di sensibilità di umidità (MSL) 1 (illimitato)
Stato di PORTATA RAGGIUNGA inalterato
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

Prodotto Tag:

Dispositivi discreti a semiconduttore H30R1602,

IRFB4310PBF,

Dispositivi discreti a semiconduttore di potere di IGBT

Dettagli di contatto
Più Dispositivi discreti a semiconduttore
Porcellana buon qualità Chip elettronico di IC fornitore. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.