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KBL410 KBL610 Raddrizzatore a ponte in silicio KBPC610 Prodotti a semiconduttore discreti

KBL410 KBL610 Silicon Bridge Rectifier KBPC610 Discrete Semiconductor Products
KBL410 KBL610 Silicon Bridge Rectifier KBPC610 Discrete Semiconductor Products KBL410 KBL610 Silicon Bridge Rectifier KBPC610 Discrete Semiconductor Products KBL410 KBL610 Silicon Bridge Rectifier KBPC610 Discrete Semiconductor Products KBL410 KBL610 Silicon Bridge Rectifier KBPC610 Discrete Semiconductor Products KBL410 KBL610 Silicon Bridge Rectifier KBPC610 Discrete Semiconductor Products KBL410 KBL610 Silicon Bridge Rectifier KBPC610 Discrete Semiconductor Products
Informazioni di base
Marca: MDD
Numero di modello: KBL410 KBL610 KBU610 KBU810 KBU1010 KBU1510 KBU2510 KBPC610
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Tempi di consegna: 2~8 giorni feriali
Termini di pagamento: T/T
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Marca: MDD Certificato: /
Modello: KBL410 KBL610 KBU610 KBU810 KBU1010 KBU1510 KBU2510 KBPC610 MOQ: 1 pc
Prezzo: Negotiated Consegna: 2~8 giorni feriali
Pagamento: T/T
Evidenziare:

Raddrizzatore a ponte del silicio KBL410

,

Raddrizzatore a ponte del silicio KBL610

,

Prodotti a semiconduttori discreti KBPC610

Descrizione di prodotto

 

Serie di KBL410 KBL610 KBU610 KBU810 KBU1010 KBU1510 KBU2510 KBPC610 KBL

Raddrizzatori del Diodo-ponte del raddrizzatore a ponte del silicio - transistor discreti dei prodotti a semiconduttori

 

Descrizione:

Tramite il raddrizzatore a ponte del silicio del foro, serie di KBL, KBL410 tipo, 4 perni, tensione inversa 1000V Max. Forward Current 4 un impiegato di funzionamento di massimo. Gamma -65°C ~+150°C, pacchetto all'ingrosso, 500pcs/Box RoHS/RoHS III compiacente

Codice della parte: KBL4100000L40A

 

Caratteristiche

Il pacchetto di plastica ha sottoscrivere la classificazione 94V-0 di infiammabilità del laboratorio

Perdita inversa bassa • Alta capacità di andata della punta di corrente

La saldatura ad alta temperatura ha garantito: 260/10 di sec. 0,375" lunghezza del cavo, 5 libbre di tensione

 

Applicazioni

Per il circuito stampato

 

Numero del pezzo DESCRIZIONE
MB10S PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 1A 1000V SMD
DB157 PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 1,5A 1000 V
W02 PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 1,5A 200 V
W04 PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 1,5A 400 V
W06 PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 1,5A 600 V
W08 PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 1,5A 800 V
W10 PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 1,5A 1000 V
KBL410 PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 4A 1000 V
KBL610 PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 6A 1000 V
KBU610 En LINEA dei PINI di PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 6A 1000 V
KBU810 En LINEA dei PINI di PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 8A 1000 V
KBU1010 En LINEA dei PINI di PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 10A 1000 V
KBU1510 En LINEA dei PINI di PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 15A 1000 V
KBU2510 En LINEA dei PINI di PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 25A 1000 V
KBPC610 MESA di PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 6A 1000 V TIPO
BR1510 MESA di PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 15A 1000 V TIPO
BR2510 MESA di PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 25A 1000 V TIPO
BR3510 MESA di PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 35A 1000 V TIPO
BR5010 MESA di PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 50A 1000 V TIPO
SKBPC2516 PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 25A 1600 V (TRIFASICO)
SKBPC3516 PUENTE RECTIFICADOR DE SILICIO 35A 1600 V (TRIFASICO)

 

Più oggetti per disponibile:

KBL400500L4005 KBL4010000L410 KBL4020000L420
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Prodotto Tag:

Dispositivi discreti a semiconduttore H30R1602,

IRFB4310PBF,

Dispositivi discreti a semiconduttore di potere di IGBT

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