Transistor bipolare discreto dei dispositivi PBHV8540 Nexperia BJT a semiconduttore di PBHV8540X

Descrizione di prodotto

Semiconduttori discreti BJT del transistor bipolare di PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

Transistor bipolare 500V 0,5 di PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UN NPN un transistor basso ad alta tensione di NPN VCEsat (BISS)

Transistor basso ad alta tensione discreto dei prodotti-Un NPN VCEsat (BISS) a semiconduttore

Descrizione:

Innovazione bassa ad alta tensione di NPN VCEsat in piccolo transistor del segnale (BISS) in una media potenza SOT89 (SC-62) ed in un pacchetto di plastica del dispositivo Superficie-montato cavo piano (SMD). Complemento di PNP: PBHV9040X.

Applicazione:

• Driver del LED per il modulo a catena del LED

• Backlighting LCD

• Gestione automobilistica del motore

• Commutatore del gancio per le Telecomunicazioni metalliche

• Alimentazione elettrica di modo del commutatore (SMPS)

Caratteristiche:

• Alta tensione

• Tensione di saturazione bassa dell'collettore-emettitore VCEsat

• Alta capacità IC ed ICM della corrente di collettore

• Alto hFE di guadagno corrente del collettore ad alto IC

• AEC-Q101 si è qualificato

Versione di descrizione di nome

Pacchetto superficie-montato di plastica di PBHV8540X SOT89; muore il cuscinetto per buon trasferimento di calore; 3 cavi

Caratteristiche tecniche del prodotto

Immagini: