Porcellana Chip elettronico di IC fabbricante

Migliore servizio, migliore chip

Più grande acquisizione della Un-fermata della Cina delle componenti

Italian
Richieda una citazione
Prodotti

Mosfets discreti di potere dei dispositivi SIHF10N40D-E3 a semiconduttore del transistor di Manica di N

N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets
N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets N Channel Transistor Discrete Semiconductor Devices SIHF10N40D-E3 Power Mosfets
Informazioni di base
Marca: Vishay Semiconductor
Numero di modello: SIHF10N40D-E3
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Tempi di consegna: 2~8 giorni feriali
Termini di pagamento: T/T
Miglior prezzo Contattaci
Marca: Semiconduttore di Vishay Certificato: /
Modello: SIHF10N40D-E3 MOQ: 1 pc
Prezzo: Negotiated Consegna: 2~8 giorni feriali
Pagamento: T/T
Evidenziare:

Dispositivi discreti a semiconduttore di Manica di N

,

Dispositivi discreti a semiconduttore EAR99

,

SIHF10N40D-E3

Caratteristiche tecniche del prodotto

Mosfets discreti di potere a semiconduttore SIHF10N40D-E3 del transistor di Manica di N

 

 

UE RoHS Compiacente
ECCN (US) EAR99
Stato della parte Attivo
NTA 8541.29.00.95
Automobilistico Nessun
PPAP Nessun
Categoria di prodotto MOSFET di potere
Configurazione Singolo
Modo di Manica Potenziamento
Tipo di Manica N
Numero degli elementi per chip 1
Tensione massima di fonte dello scolo (v) 400
Tensione di fonte di portone massima (v) ±30
Tensione massima della soglia del portone (v) 5
Corrente continua massima dello scolo (A) 10
Corrente massima di perdita di fonte del portone (Na) 100
IDSS massimo (uA) 1
Resistenza massima di fonte dello scolo (MOhm) 600@10V
Tassa tipica @ Vgs (nC) del portone 15@10V
Tassa tipica @ 10V (nC) del portone 15
Capacità introdotta tipica @ Vds (PF) 526@100V
Dissipazione di potere massima (Mw) 33000
Tempo di caduta tipico (NS) 14
Tempo di aumento tipico (NS) 18
Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori (NS) 18
Tempo di ritardo d'apertura tipico (NS) 12
Temperatura di funzionamento minima (°C) -55
Temperatura di funzionamento massima (°C) 150
Pacchetto del fornitore TO-220FP
Pin Count 3
Nome del imballaggio di serie TO-220
Montaggio Attraverso il foro
Altezza del pacchetto 16,12 (massimo)
Lunghezza del pacchetto 10,63 (massimo)
Larghezza del pacchetto 4,83 (massimo)
Il PWB è cambiato 3
Linguetta Linguetta
Forma del cavo Attraverso il foro
Numero del pezzo SIHF10N40D-E3
Numero del pezzo basso SIHF10N40
UE RoHS Soddisfacente rispetto all'esenzione
ECCN (US) EAR99
Stato della parte Attivo
NTA 8541.29.00.95
 

Prodotto Tag:

Dispositivi discreti a semiconduttore H30R1602,

IRFB4310PBF,

Dispositivi discreti a semiconduttore di potere di IGBT

Dettagli di contatto
Più Dispositivi discreti a semiconduttore
Porcellana buon qualità Chip elettronico di IC fornitore. © 2022 - 2023 topfastchip.com. All Rights Reserved.