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Marca: | ROHM Semiconductor |
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Numero di modello: | 1SS26 (C3) |
Quantità di ordine minimo: | 1 pezzo |
Tempi di consegna: | 2~8 giorni feriali |
Termini di pagamento: | T/T |
Marca: | Semiconduttore di ROHM | Certificato: | / |
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Modello: | 1SS26 (C3) | MOQ: | 1 pc |
Prezzo: | Negotiated | Consegna: | 2~8 giorni feriali |
Pagamento: | T/T | ||
Evidenziare: | Diodi di commutazione 1SS226,Planare epitassiale dei diodi di commutazione,1SS226TE85IF |
Descrizione di prodotto
Planare epitassiale del silicio dei diodi di commutazione 1SS226 per la commutazione ultra ad alta velocità
1. Applicazioni
• Commutazione di Ultra-Alto-velocità
2. Caratteristiche
(1) AEC-Q101 qualificato
Caratteristica | Commutazione ad alta velocità |
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Collegamento interno | Serie |
Numero dei circuiti | 2 |
AEC-Q101 | Qualificato (*) |
Prodotti compatibili di RoHS (#) | Disponibile |
Rivestimento del cavo | Latta-Argento-rame |
Max Processing Temp | 260 |
Montaggio | Supporto di superficie |
Temperatura di funzionamento | °C -55 - 125 |
Corrente di andata media di punta | 0,1 A |
Tensione di andata di punta | 1,2 V |
Punta di corrente non ripetitiva di punta | 2 A |
Tensione inversa ripetitiva di punta | 85 V |
Corrente inversa di punta | 0,5 uA |
Tempo di recupero inverso di punta | 4 NS |
Pin Count | 3 |
Dimensioni del prodotto | 2,9 x 1,5 x 1,1 millimetri |
Pacchetto del fornitore | S-mini |
Tipo | Diodo di commutazione |