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Marca: | Texas Instruments |
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Numero di modello: | LM9061QDRQ1 |
Quantità di ordine minimo: | 1 pezzo |
Tempi di consegna: | 2~8 giorni feriali |
Termini di pagamento: | T/T |
Marca: | Texas Instruments | Certificato: | / |
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Modello: | LM9061QDRQ1 | MOQ: | 1 pc |
Prezzo: | Negotiated | consegna: | 2~8 giorni feriali |
Pagamento: | T/T | ||
Evidenziare: | SMD che monta EMI Filter IC,TI EMI Filter IC,LM9061QDRQ1 |
SMD che monta EMI Noise Filter IC Texas Instruments/TI LM9061QDRQ1
Modulo di ECAD | Simbolo, orma & modello 3D del PWB |
ECCN | EAR99 |
Pæse d'origine | La Malesia |
Alogeno libero | Compiacente |
EOL Date stimato | 2028 |
Stato dell'offerta e domanda | Limitato |
Minaccia falsa nel mercato libero | 53 PCT. |
Popolarità | Medium |
Produttore Package | 8-SOIC |
Pacchetto | 8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm) |
Montaggio | SMD |
Gamma di temperatura di funzionamento | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Data di introduzione | 24 novembre 2014 |
Tensione di logica - VIL, VIH | 1.5V, 3.5V |
Tipo del portone | MOSFET di N-Manica |
Numero dei driver | 1 |
Tipo di Manica | Singolo |
Numero del pezzo di fonte di vittoria | 1200910-LM9061QDRQ1 |
Imballaggio | Bobina - TR |
Cognome | LM9061 |
Produttore | Texas Instruments |
Categorie | Circuiti integrati (CI) |
Tensione di rifornimento di funzionamento | 7 V ~ 26 V |
Configurazione determinata | Lato alto |
Serie | Automobilistico, AEC-Q100 |
La famiglia LM9061 consiste dei dispositivi della pompa di carica che fornisce l'azionamento del portone ad un MOSFET di potere esterno di tutta la dimensione configurata come un driver o commutatore lato alto. Ciò include i MOSFETs collegati paralleli multipli per le applicazioni molto a corrente forte. Un input avanti/stop logica-compatibile di CMOS controlla la tensione di controllo del portone di uscita. In sullo stato, la tensione della pompa di carica, che è ben sopra il rifornimento disponibile VCC, direttamente si applica al portone del MOSFET. Un 15-V incorporato Zener preme il portone massimo a tensione di fonte del MOSFET. Una volta dominante FUORI da un lavandino corrente 110-µA scarica le capacità del portone del MOSFET affinchè una caratteristica graduale della strada secondaria minimizzino la durata delle tensioni transitorie del carico induttivo e più ulteriormente per proteggere il MOSFET di potere.
La protezione senza perdita del MOSFET di potere è una caratteristica fondamentale del LM9061. La caduta di tensione (VDS) attraverso il dispositivo di potere continuamente è controllata e comparata ad una tensione esternamente programmabile della soglia. Una piccola resistenza dipercezione in serie con il carico, che causa una perdita di energia disponibile, non è richiesta per i circuiti della protezione. Se il VDSvoltage, dovuto l'eccessiva corrente del carico, supera la tensione della soglia, l'uscita è chiusa FUORI ad un modo più graduale (attraverso un lavandino della corrente d'uscita 10-µA) dopo un intervallo di tempo programmabile di ritardo.